الثانوية العامة 2026الاستعلام عن النتيجةاعرف الكليات المناسبة لمجموعكتنسيق 2026

الفيزياء · الصف الثالث الثانوي

الإلكترونيات الحديثة

أشباه الموصلات والسيليكون النقي والمطعم من النوعين n وp، والوصلة الثنائية (الدايود) وتقويم التيار والتوليف الإلكتروني، والترانزستور مكبرًا ومفتاحًا، والإلكترونيات الرقمية والنظام الثنائي والبوابات المنطقية NOT وAND وOR.

آخر تحديث: · كيف نراجع المحتوى

أهداف التعلم

  • تميز بين الموصلات والعوازل وأشباه الموصلات وتفسر توصيل السيليكون النقي والمطعم.
  • تصف الوصلة الثنائية واستخدامها في التقويم والتوليف.
  • تصف الترانزستور واستخدامه مكبرًا ومفتاحًا.
  • تتعرف الإلكترونيات الرقمية والنظام الثنائي والبوابات المنطقية الأساسية.

شرح الدرس

الموصلات والعوازل وأشباه الموصلات

  • الموصلات: توصل الكهربية والحرارة بسهولة (المعادن).
  • العوازل: لا توصلهما بسهولة (الخشب والبلاستيك).
  • أشباه الموصلات: وسط بينهما، تزداد توصيليتها بارتفاع درجة الحرارة، ومنها السيليكون.

بلورة السيليكون النقي ذراتها مرتبطة بروابط تساهمية؛ لكل ذرة أربعة إلكترونات في القشرة الخارجية تتشارك مع أربعة جيران فتكتمل بثمانية. في درجات الحرارة المنخفضة جدًا (قرب الصفر المطلق) كل الروابط سليمة فلا توجد إلكترونات حرة. وبارتفاع الحرارة (أو بسقوط ضوء طاقة فوتونه كافية) تنكسر بعض الروابط فتتحرر إلكترونات حرة تاركة فجوة تمثل شحنة موجبة (والذرة لا تسمى أيونًا لأن الفجوة سرعان ما تقتنص إلكترونًا آخر). تتحرك الفجوة عشوائيًا بحركة الإلكترونات داخل الروابط. وفي السيليكون النقي يتساوى عدد الإلكترونات الحرة والفجوات، ويصل إلى اتزان حراري (عدد الروابط المكسورة في الثانية = عدد الروابط الملتئمة، وعند التئام الرابطة تنطلق طاقة حرارية أو ضوئية). فشبه الموصل فيه حاملان للتيار (إلكترونات وفجوات)، بينما المعدن حامل واحد هو الإلكترونات وعددها ثابت لا يتغير بالحرارة.

التطعيم (الشوائب):

  • إضافة ذرة خماسية التكافؤ (فوسفور، أنتيمون) تحل محل ذرة سيليكون: أربعة من إلكتروناتها في روابط والخامس يتحرر بسهولة فتصير أيونًا موجبًا. فتسمى ذرة معطية والبلورة نوع nn (الإلكترونات أكثر من الفجوات): n=ND+pn = N_D + p وتقريبًا n≈NDn \approx N_D.
  • إضافة ذرة ثلاثية التكافؤ (ألومنيوم، بورون) تقتنص إلكترونًا من رابطة مجاورة فتظهر فجوة وتصير أيونًا سالبًا. فتسمى ذرة مستقبلة والبلورة نوع pp (الفجوات أكثر): p=NA+np = N_A + n وتقريبًا p≈NAp \approx N_A.
  • قانون فعل الكتلة: حاصل ضرب تركيزي الإلكترونات والفجوات ثابت يساوي مربع تركيزها في السيليكون النقي: np=ni2np = n_i^2، فإذا زاد أحدهما نقص الآخر. ففي النوع nn: p≈ni2/NDp \approx n_i^2/N_D، وفي النوع pp: n≈ni2/NAn \approx n_i^2/N_A.

وأشباه الموصلات شديدة الحساسية للضوء والحرارة والضغط والرطوبة والتلوث، فتُستخدم محسات (حساسات) لقياس هذه العوامل.

الوصلة الثنائية (الدايود)

عند تلاحم بلورة pp وبلورة nn تنتشر الفجوات من pp (تركيز عال) إلى nn (تركيز منخفض) وتنتشر الإلكترونات من nn إلى pp (تيار انتشار). فيكشف ذلك أيونات موجبة في جانب nn وسالبة في جانب pp فتتكون المنطقة الفاصلة (القاحلة) الخالية من الإلكترونات والفجوات، ويتولد فيها مجال كهربي من الأيونات الموجبة إلى السالبة (من nn إلى pp) يدفع تيارًا انسيابيًا عكس تيار الانتشار، وفي الاتزان تكون المحصلة صفرًا.

  • التوصيل الأمامي: الطرف الموجب للبطارية بالنوع pp والسالب بـ nn: يضعف مجال المنطقة الفاصلة فيمر التيار (مفتاح مغلق).
  • التوصيل العكسي: الموجب بالنوع nn والسالب بـ pp: يقوى المجال فلا يمر تيار تقريبًا (مفتاح مفتوح).

فالدايود يوصل التيار بسهولة في اتجاه ويمنعه تقريبًا في الآخر، بخلاف المقاومة العادية. ويُختبر بأوميتر: مقاومة صغيرة جدًا في اتجاه وكبيرة جدًا في الآخر.

التقويم: يحول الدايود التيار المتردد إلى مستمر، ويُستخدم في شحن بطاريات السيارات وشواحن الهواتف.

التوليف الإلكتروني: لضبط الراديو على محطة نغير سعة مكثف أو حث ملف ليتساوى تردد الدائرة مع تردد المحطة (رنين). وفي الأجهزة الحديثة تتغير السعة بخاصية الدايود في التوصيل العكسي: يزداد عرض المنطقة الفاصلة بزيادة الجهد العكسي فيعمل كمكثف تتغير سعته بالجهد.

الترانزستور

اخترعه باردين وشوكلي وبراتين. الترانزستور ثنائي القطبية npnnpn أو pnppnp مكون من ثلاث مناطق: الباعث (E) والقاعدة (B) وهي الوسطى الرفيعة، والمجمع (C). في npnnpn تكون الوصلة الأولى (الباعث–القاعدة) أمامية التوصيل والثانية (المجمع–القاعدة) عكسية. فتنطلق إلكترونات من الباعث إلى القاعدة، وبما أن القاعدة رقيقة وقليلة الفجوات يلتئم منها جزء ضئيل فقط ويصل أغلبها إلى المجمع: IE=IB+ICI_E = I_B + I_C وتسمى α=ICIE\alpha = \dfrac{I_C}{I_E} (قريبة من الواحد) ثابت التوزيع، وβ=ICIB\beta = \dfrac{I_C}{I_B} نسبة تكبير التيار (كبيرة)، ومنهما β=α1−α\beta = \dfrac{\alpha}{1 - \alpha}.

الوصلة PN بحالتيها والترانزستور npn بمناطقه الثلاث وتيار صغير في القاعدة يتحكم في تيار كبير في المجمع

مكبر: بتوصيل الباعث مشتركًا يظهر أي تغير صغير في تيار القاعدة (إشارة الميكروفون مثلًا) مكبرًا في تيار المجمع، وهذا فعل الترانزستور.

مفتاح وعاكس: في دائرة المجمع VCC=VCE+ICRCV_{CC} = V_{CE} + I_CR_C. إذا كان جهد القاعدة موجبًا وكبيرًا زاد تيار المجمع وقل VCEV_{CE} إلى أقل قيمة (نحو 0.2 V0.2\ \text{V}) فالخرج صغير والترانزستور مفتاح مغلق. وإذا كان جهد القاعدة صغيرًا أو سالبًا انقطع التيار فصار الخرج كبيرًا يقارب VCCV_{CC} (مفتاح مفتوح). فهو عاكس: دخل كبير يعطي خرجًا صغيرًا والعكس.

الإلكترونيات الرقمية

الإلكترونيات التناظرية تتعامل مع الكميات الطبيعية متصلة، أما الرقمية فتحول الإشارة إلى شفرة من قيمتين فقط 00 و11 (النظام الثنائي). مثلًا 3=1×21+1×20=1123 = 1 \times 2^1 + 1 \times 2^0 = 11_2. ويحول المحول التناظري–الرقمي الإشارة إلى رقمية ويعيدها المحول الرقمي–التناظري. ميزتها: الضوضاء الكهربية (من الحركة العشوائية للإلكترونات) تشوه الإشارة التناظرية، أما الرقمية فالمعلومة في الشفرة (0 أو 1) لا في قيمة الجهد بدقة، فلا تتأثر بالضوضاء. وبها الهاتف المحمول والقنوات الفضائية والأقراص المدمجة والحاسوب الذي يعمل بالجبر الثنائي ويخزن بالمغنطة (اتجاه يعني 0 والمضاد 1).

البوابات المنطقية دوائر تقوم بعمليات منطقية:

  • العاكس (NOT): مدخل واحد؛ الخرج عكس الدخل (0→10 \to 1 و1→01 \to 0).
  • التوافق (AND): الخرج 1 فقط إذا كان الدخلان 1 (كمفتاحين على التوالي).
  • الاختيار (OR): الخرج 1 إذا كان أحد الدخلين 1 على الأقل (كمفتاحين على التوازي).
الدخلانANDOR
0000
0101
1001
1111

تعريفات

  • الفجوة: مكان فارغ في رابطة مكسورة يمثل شحنة موجبة.
  • الذرة المعطية: ذرة شائبة خماسية تعطي إلكترونًا حرًا (نوع nn).
  • الذرة المستقبلة: ذرة شائبة ثلاثية تقتنص إلكترونًا (نوع pp).
  • المنطقة الفاصلة: منطقة في الوصلة خالية من حاملات الشحنة.
  • ثابت التوزيع α\alpha: IC/IEI_C/I_E.
  • الإلكترونيات الرقمية: معالجة الإشارات بعد تحويلها إلى شفرة ثنائية.

أمثلة وتطبيقات

مثال 1: تركيز الإلكترونات في السيليكون النقي ni=1010 cm−3n_i = 10^{10}\ \text{cm}^{-3} طُعم بفوسفور بتركيز 1014 cm−310^{14}\ \text{cm}^{-3}. احسب تركيزي الإلكترونات والفجوات ونوع البلورة.

الحل: n≈1014n \approx 10^{14} وp=ni2n=10201014=106 cm−3p = \dfrac{n_i^2}{n} = \dfrac{10^{20}}{10^{14}} = 10^6\ \text{cm}^{-3}. نوع nn.

مثال 2: ما تركيز الألومنيوم اللازم لإعادة البلورة السابقة نقية؟

الحل: NA=1014 cm−3N_A = 10^{14}\ \text{cm}^{-3} ليعادل المعطيات.

مثال 3: ترانزستور α=0.98\alpha = 0.98 وتيار قاعدته 0.2 mA0.2\ \text{mA}. أوجد β\beta وتياري المجمع والباعث.

الحل: β=0.980.02=49\beta = \dfrac{0.98}{0.02} = 49، IC=49×0.2=9.8 mAI_C = 49 \times 0.2 = 9.8\ \text{mA}، IE=9.8+0.2=10 mAI_E = 9.8 + 0.2 = 10\ \text{mA}.

مثال 4: دايود مقاومته في الاتجاه الأمامي 100 Ω100\ \Omega وفي العكسي لا نهائية، وُصل بمصدر 5 V5\ \text{V} ثم عُكس. ما التيار؟

الحل: أماميًا 5100=50 mA\dfrac{5}{100} = 50\ \text{mA}، وعكسيًا صفر تقريبًا.

مثال 5: اكتب العدد 1313 في النظام الثنائي.

الحل: 13=8+4+1=1×23+1×22+0×21+1×2013 = 8 + 4 + 1 = 1 \times 2^3 + 1 \times 2^2 + 0 \times 2^1 + 1 \times 2^0 فهو 110121101_2.

مثال 6: أنشئ جدول الحقيقة لبوابة AND يتبعها عاكس.

الحل: الدخلان 00 ← AND يعطي 0 ← العاكس 1؛ 01 ← 0 ← 1؛ 10 ← 0 ← 1؛ 11 ← 1 ← 0.

ملاحظات مهمة

  • كل من البلورتين nn وpp متعادلة كهربيًا؛ التطعيم لا يشحنها.
  • ارتفاع الحرارة يزيد توصيل شبه الموصل لكنه يزيد مقاومة المعدن.
  • في الترانزستور IEI_E أكبر من ICI_C قليلًا وIBI_B صغير جدًا.
  • قيمة β\beta كبيرة وقيمة α\alpha قريبة من الواحد.
  • في المعلومات الرقمية لا تهم قيمة الجهد بدقة بل كونه عاليًا أو منخفضًا.

المفاهيم الأساسية

  • نوع nn (ذرات خماسية، إلكترونات أغلبية) ونوع pp (ذرات ثلاثية، فجوات أغلبية)، np=ni2np = n_i^2.
  • الدايود: توصيل أمامي يمرر، وعكسي يمنع؛ ويُستخدم في التقويم.
  • الترانزستور: IE=IB+ICI_E = I_B + I_C، β=IC/IB\beta = I_C/I_B؛ مكبر ومفتاح وعاكس.
  • بوابات NOT وAND وOR.

ملخص الدرس

شبه الموصل النقي يزداد توصيله بالحرارة لتكون إلكترونات وفجوات، ويتحول بالتطعيم إلى نوع nn أو pp. تلاحمهما يعطي الدايود الذي يمرر التيار في اتجاه واحد ويُستخدم في التقويم والتوليف. والترانزستور من ثلاث مناطق يعمل مكبرًا ومفتاحًا. وتعتمد الإلكترونيات الرقمية على الشفرة الثنائية والبوابات المنطقية وهي أقل تأثرًا بالضوضاء.

أسئلة للتدريب

  1. اشرح كيف تتكون الإلكترونات الحرة والفجوات في السيليكون النقي.
  2. قارن بين النوعين nn وpp من أشباه الموصلات.
  3. كيف تتكون المنطقة الفاصلة في الوصلة الثنائية؟
  4. ترانزستور α=0.99\alpha = 0.99 وتيار قاعدته 100 μA100\ \mu\text{A}؛ احسب β\beta وتيار المجمع.
  5. ما مزايا الإلكترونيات الرقمية؟
حلّ أسئلة هذا الدرساختبر فهمك بأسئلة اختيار من متعدد وأسئلة مقالية مع نموذج إجابة، أو خض اختبارًا تفاعليًا سريعًا
أبلغ عن خطأ في هذا الدرس